半导体分立器件静态参数测试系统

DCT2000半导体分立器件静态参数测试系统 是由我公司技术团队结合半导体分立器件静态参数测试系统的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，完全自主开发设计的全新一代“半导体分立器件静态参数测试系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。

DCT2000半导体分立器件静态参数测试系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。

测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。

高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）

控制极/栅极电压40V，栅极电流100mA

分辨率最高至1.5uV / 1.5pA，精度最高可至0.1%

DCT2000半导体分立器件静态参数测试系统能够测试分立器件静态参数还可测试“结电容”，支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”